碳化硅（SIC）是半导体界公认的“一种未来的材料”，是新世纪有广阔发展潜力的新型半导体材料。预计在今后5～10年将会快速发展和有显著成果出现。促使碳化硅发展的主要因素是硅（SI）材料的负载量已到达极限，以硅作为基片的半导体器件性能和能力极限已无可突破的空间。
根据数据显示，碳化硅 (SiC)电力电子市场是具体而实在，且发展前景良好。这种趋势非但不会改变，碳化硅行业还会进一步向前发展。业界半导体企业正在尝试碳化硅技术，以应用于具体且具有发展前景的项目。
碳化硅
碳化硅（SiC）是一种宽带隙材料，与硅相比，具有许多优点，例如，工作温度更高，散热性能得到改善，开关和导通损耗更低。 不过，宽带隙材料比硅基材料的量产难度更高。因为纯硅晶圆的提升空间的局限性，碳化硅的出现也算是半导体芯片的一种导向和突破。
碳化硅特性
碳化硅的优点
更高的性能和工作电压
• 功率损失极低
• 本征SiC体二极管（MOSFET）（4象限开关操作）
• 开关比硅更快，更可靠
• 在击穿电压相同的条件下，芯片尺寸更小
• 能效更高
• 导热性高
更高的工作频率
• 开关损耗更低，二极管开关性能出色
• 更小、更轻量化的系统
更高的工作温度
• 工作节温最高200°C
• 散热要求降低，可用于轻量化系统，延长使用寿命
容易驱动
• 完全兼容标准栅极驱动器
• 设计更简单
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